三极管发热疑问
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在使用中发现，设备的Q2、Q3、Q4，在挂上负载的时候发热严重
尤其Q2、Q3，对对应A口高电流负载（5V3A）时，热成像仪显示温度超过三百度。
降低负载至1A时，热成像显示温度下降至约100°C，猜测是有大电流通过三极管，由于本身压降关系导致严重发热。
通过原理图，发现三极管并不直接处理充电过程，是用作MCU对充电口的某种管理功能
那么如果想解决发热问题，是否可以直接移除这3个三极管，以牺牲掉MCU对充电口的控制，来达到降低发热的目的呢？
当然可以 主要是mcu对充电口控制功能还没做
将Q2 Q3 位置进行一坨锡短接 并且移除Q4这个双三极管和它两侧的10K/1K电阻就可以了
当然可以 主要是mcu对充电口控制功能还没做 将Q2 Q3 位置进行一坨锡短接 并且移除Q4这个双三极管和它两侧的10K/1K电阻就可以了
感谢回复
根据回复查了下原理图，那就是移除Q2、Q3、Q4、R27、R28、R29、R30这3个三极管和4个电阻，用途就是切断了MCU对两个A口的控制，同时Q2和Q3的VBUS PAD和VIN PAD需要短接起来，不然A口就断电了。
当然可以 主要是mcu对充电口控制功能还没做 将Q2 Q3 位置进行一坨锡短接 并且移除Q4这个双三极管和它两侧的10K/1K电阻就可以了
感谢回复 根据回复查了下原理图，那就是移除Q2、Q3、Q4、R27、R28、R29、R30这3个三极管和4个电阻，用途就是切断了MCU对两个A口的控制，同时Q2和Q3的VBUS PAD和VIN PAD需要短接起来，不然A口就断电了。
对的 就是这样 主要是这些三极管质量参差不齐 可能作者做方案的时候没啥问题 到咱们手里实现可能多少有点问题
MCU对A口控制这个功能 作者和第三方固件作者都没实现 确实是🤣可惜