how to measure LPDDR3 cell.
0x00：我要干嘛？
- memory 颗粒验证
0x01：pattern
从原厂的角度来设计pattern。
- 功能：全空间扫描目的是扫描坏块，memtester为主；
- 性能：频率，IO性能，时序，电压调节等；
- 功耗：IDD2和IDD6，一个standby和一个读写，其余的IDD状态都是瞬态的，当前测试架构无法支持测试；
- 温度：在高温下的性能情况主要是burn-in-test；
- 刷新时间：刷新时间过低会不会掉数据，这个应该包括在FaultModel里面，也就是testPatern里面。
0x02：框架
上位机通过通信接口发送指令到多个测试板，测试板负责测试IC，将结果通过通信接口返回到上位机PC，上位机处理数据之后将结果显示。
- 上位机显示界面，基于PC WINDOWS,用C#编写的界面(updata：实际是使用的Tkinter跟pyQt完成的界面，两个都有做，Tk是为了了解界面函数内部实现，pyQt是为了专注业务逻辑)；
- 通信接口采用的是串口，9600波特率，用串口转网口设备，理论上1台PC可带无限块测试板；
- 下位机采用的ARM的A53处理器作为测试控制器，LPC1768作为辅控制器；
0x03：算法
分为三个层次：底层物理缺陷层，中间功能层，以及性能层；
- FaultModel：这是有一系列的论文、背景支持的，我们最终采用的是精简的失效模型来设计算法；
- 功能层就是测一下每个cell功能是否正常，常规做法就是直接memtester，但是跟底层貌似有些重合，需确认；
- 性能层就是我们在改变电压、时序等参数的时候，你跑pattern能跑到多高的频率。
0x04：加速
- 1、从一些栗子（ARM 官网memcpy）入手，讲如何加速，引入neon及GPU；
- 2、neon实例分析就是我们的memtester底层加速；
- 3、neon使用手册学习；
- 4、安卓下的JNI/NDK使用，直接把c库给应用层用，已CNN为栗子实践及对比官方库学习；
- 5、CUDA学习；